Componentes de vácuo de alta temperatura
O tratamento térmico inclui principalmente processos de oxidação, difusão e recozimento.A oxidação é um processo aditivo no qual os wafers de silício são colocados em um forno de alta temperatura e o oxigênio é adicionado para reagir com eles para formar sílica na superfície do wafer.A difusão consiste em mover substâncias da área de alta concentração para a região de baixa concentração por meio do movimento térmico molecular, e o processo de difusão pode ser usado para dopar substâncias dopantes específicas no substrato de silício, alterando assim a condutividade dos semicondutores.
